7月27日，意法半導體官微宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片，這些晶圓將用于生產下一代電力電子芯片的產品原型。

意法半導體指出，SiC晶圓升級到200mm標志著擴大產能，以及支持汽車和工業市場實現系統和產品電氣化的計劃取得階段性成功。

消息表示，首批200mm SiC晶圓片質量上乘，其芯片良率和晶體位錯的缺陷率影響非常少。除了晶圓片滿足嚴格的質量標準外，SiC晶圓升級到200mm還需對制造設備和整體支持生態系統進行升級更換。據披露，意法半導體正在與供應鏈上下游技術廠商合作開發自己的制造設備和生產工藝。

值得關注是，意法半導體介紹稱，200mm晶圓與 150mm晶圓相比，可增加產能，將制造集成電路可用面積幾乎擴大1 倍，合格芯片產量是150mm晶圓的1.8 - 1.9 倍。

據意法半導體官微揭露，意法半導體先進的量產碳化硅產品STPOWER SiC目前是在卡塔尼亞（意大利）和宏茂橋（新加坡）兩家150mm晶圓廠完成前工序制造，后工序制造是在深圳（中國）和布斯庫拉（摩洛哥）的兩家封測廠進行的。這個階段性成功是意法半導體布局更先進的、高成本效益的200mm SiC量產計劃的組成部分。SiC晶圓升級到200mm屬于公司正在執行的SiC襯底建新廠和內部采購SiC襯底占比超40%的生產計劃。